IRLD110PBF دیتاشیت

IRLD110PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRLD110PBF
حجم فایل 97.952 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRLD110PBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech IRLD110PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.1nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 250pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 540mΩ@5V,600mA
  • Package: HVMDIP
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه